VS-GT200TS065S
Номер детали:
VS-GT200TS065S
Категория продукта:
БТИЗ-модули
Производитель:
Vishay General Semiconductor – Diodes Division
Описание:
MODULES IGBT - IAP IGBT
Упаковка:
Box
Состояние ROHS:
Да
Валюта:
USD
PDF:
Данные
Характеристики
- Тип монтажа Chassis Mount
- Пакет/кейс Module
- Рабочая Температура -40°C ~ 175°C (TJ)
- Тип БТИЗ Trench
- Вход Standard
- Конфигурация Half Bridge Inverter
- НТЦ-термистор No
- Напряжение – пробой коллектор-эмиттер (макс.) 650 V
- Ток-отсечка коллектора (макс.) 200 µA
- Мощность - Макс. 1000 W
- Пакет устройств поставщика INT-A-PAK IGBT
- Ток-Коллектор (Ic) (Макс) 476 A
- Vce(on) (Макс) @ Vge, Ic 1.32V @ 15V, 200A