FII30-12E
Número de pieza:
FII30-12E
Clasificación de productos:
Matrices IGBT
Fabricante:
Littelfuse / IXYS RF
Descripción:
IGBT H BRIDGE 1200V 33A I4PAK5
Embalaje:
-
Estado de ROHS:
No
Moneda:
USD
PDF:
Documentación
Especificaciones
- Tipo de montaje Through Hole
- Potencia - Máx. 150 W
- Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
- Tensión - Avería Colector Emisor (Máx.) 1200 V
- Aporte Standard
- Termistor NTC No
- Paquete / Estuche i4-Pac™-5
- Paquete de dispositivo del proveedor ISOPLUS i4-PAC™
- Tipo IGBT NPT
- Configuración Half Bridge
- Corriente: corte del colector (máx.) 200 µA
- Corriente - Colector (Ic) (Max) 33 A
- Vce(encendido) (Máx.) @ Vge, Ic 2.9V @ 15V, 20A
- Capacitancia de entrada (Cies) @ Vce 1.2 nF @ 25 V