RGWX5TS65GC11

RGWX5TS65GC11

رقم القطعة: RGWX5TS65GC11
تصنيف المنتجات: IGBTs واحدة
الشركة المصنعة: ROHM Semiconductor
الوصف: IGBT TRENCH FLD 650V 132A TO247N
التغليف: Tube
حالة RoHS: نعم
العملة: USD

المواصفات

  • نوع التركيب Through Hole
  • درجة حرارة التشغيل -40°C ~ 175°C (TJ)
  • نوع اي بي تي Trench Field Stop
  • نوع الإدخال Standard
  • الحزمة / القضية TO-247-3
  • الجهد - انهيار باعث المجمع (الحد الأقصى) 650 V
  • التيار - النبض المجمع (Icm) 300 A
  • حزمة جهاز المورد TO-247N
  • شرط الاختبار 400V, 75A, 10Ohm, 15V
  • Vce(on) (الحد الأقصى) @ Vge, Ic 1.9V @ 15V, 75A
  • الحالي - المجمع (Ic) (الحد الأقصى) 132 A
  • أقصى القوة 348 W
  • اجره البوابه 213 nC
  • Td (تشغيل/إيقاف) عند 25 درجة مئوية 64ns/229ns