NXH75M65L4Q1SG
رقم القطعة:
NXH75M65L4Q1SG
تصنيف المنتجات:
وحدات IGBT
الشركة المصنعة:
Sanyo Semiconductor/onsemi
الوصف:
Q1PACK 75A 650V
التغليف:
Tray
حالة RoHS:
نعم
العملة:
USD
بي دي إف:
البيانات
المواصفات
- نوع التركيب Chassis Mount
- الحزمة / القضية Module
- درجة حرارة التشغيل -40°C ~ 175°C (TJ)
- مدخل Standard
- إن تي سي الثرمستور Yes
- نوع اي بي تي Trench Field Stop
- الجهد - انهيار باعث المجمع (الحد الأقصى) 650 V
- إعدادات Half Bridge
- التيار - قطع المجمع (الحد الأقصى) 300 µA
- أقصى القوة 86 W
- الحالي - المجمع (Ic) (الحد الأقصى) 59 A
- Vce(on) (الحد الأقصى) @ Vge, Ic 2.22V @ 15V, 75A
- سعة الإدخال (Cies) @ Vce 5.665 nF @ 30 V
- حزمة جهاز المورد 56-PIM (93x47)