GT50J341,Q
رقم القطعة:
GT50J341,Q
تصنيف المنتجات:
IGBTs واحدة
الشركة المصنعة:
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
الوصف:
PB-F IGBT / TRANSISTOR TO-3PN IC
التغليف:
Tray
حالة RoHS:
نعم
العملة:
USD
بي دي إف:
البيانات
المواصفات
- نوع التركيب Through Hole
- أقصى القوة 200 W
- الحالي - المجمع (Ic) (الحد الأقصى) 50 A
- الجهد - انهيار باعث المجمع (الحد الأقصى) 600 V
- الحزمة / القضية TO-3P-3, SC-65-3
- نوع الإدخال Standard
- درجة حرارة التشغيل 175°C (TJ)
- التيار - النبض المجمع (Icm) 100 A
- حزمة جهاز المورد TO-3P(N)
- Vce(on) (الحد الأقصى) @ Vge, Ic 2.2V @ 15V, 50A