FII30-12E

FII30-12E

رقم القطعة: FII30-12E
تصنيف المنتجات: مصفوفات IGBT
الشركة المصنعة: Littelfuse / IXYS RF
الوصف: IGBT H BRIDGE 1200V 33A I4PAK5
التغليف: -
حالة RoHS: لا
العملة: USD
بي دي إف: البيانات

المواصفات

  • نوع التركيب Through Hole
  • أقصى القوة 150 W
  • درجة حرارة التشغيل -55°C ~ 150°C (TJ)
  • الجهد - انهيار باعث المجمع (الحد الأقصى) 1200 V
  • مدخل Standard
  • إن تي سي الثرمستور No
  • الحزمة / القضية i4-Pac™-5
  • حزمة جهاز المورد ISOPLUS i4-PAC™
  • نوع اي بي تي NPT
  • إعدادات Half Bridge
  • التيار - قطع المجمع (الحد الأقصى) 200 µA
  • الحالي - المجمع (Ic) (الحد الأقصى) 33 A
  • Vce(on) (الحد الأقصى) @ Vge, Ic 2.9V @ 15V, 20A
  • سعة الإدخال (Cies) @ Vce 1.2 nF @ 25 V